任职要求 1、年限要求:5年以上化合物半导体晶体材料生长或研究经验; 2、专业要求:材料科学与工程、材料化学、高分子材料与工程、化工工艺、物理、机械类、半导体等专业本科以上学位优先; 3、拥有丰富的衬底晶片生长经验( InP产品生长经验优先)，对VGF，VB，CZ等方法拥有宏观的把控，了解行业晶体生产企业生长工艺(包括半导体、半绝缘产品的)，并能够导入产线量产; 4、可以主导磷化铟单晶生长工艺改进优化，解决客户问题。 5、熟悉InP单晶生长设备； 工作职责: 1、负责制定晶体生长研发试验方案，主导实施晶体生长研发工作； 2、负责晶体相关的新产品、新工艺导入生产时的工艺流程设计、技术标准确定及工艺文件编制；